
16.04.201
9.1 TE
Nív
200
2V
20
200
600
9.2 CO
Nív
200
2m
20m
200
10
Protecçã
9.3 CO
Nív
200
600
Amplitud
9.4 TE
Nív
9.5 RE
Nív
200
2k
20k
200
2M
Tensão
9.6 TE
N
0
SÃO CC
Não fa
l
V
ENTE CC
Não m
l
A
A
A
contra sobrec
RENTE CA
Não fa
l
e de frequênci
TE DE D
O
Não me
l
IST
NCIA
Não m
l
Ω
áx. em circui
TE DE TRA
Não m
o ada
Nível
PN & PNP
a medições nu
Resoluç
100µV
1mV
10mV
100mV
1V
ça a corrente
Resoluç
0.1µA
1µA
10µA
100µA
10mA
rga: nível 200
a medições nu
Resoluç
100mV
1V
: de 40Hz a 40
OS & CONT
a o díodo nem
O sinal sono
A qu
ça a resistênci
Resoluç
0.1Ω
1Ω
10Ω
100Ω
1kΩ
o aberto: 3.2
SISTOR hF
ça um transist
tador incluido.
Nível t
0-1
EVM
40
circuito que
o
um circuito co
o
mA fusible F50
circuito que
o
0Hz.
NUIDADE
a continuidade
ro incorporado
bra da tensão
num circuito
o
(0-1000)
r num circuito
estado
000
51
ossa ter uma t
> 250 V.
mA/250V, nív
ossa ter uma t
±
num circuito d
Descrição
oca quando ex
irecta do díod
e baixa tensão
de baixa tensã
Corrente te
Ib = 10µ
nsão > 600 V.
Precisã
0.5% leitura ±
0.8% leitura ±
1.0% leitura ±
Precisã
1% leitura +
1.5% leitura +
3% leitura +
l 10A F10A/25
nsão > 600 V.
Precisã
.2% leitura +
baixa tensão.
istir continuida
aparece no e
Precisã
0.8% leitura +
1.0% leitura +
. Para medir u
tada
A
©Vellem
2 dígitos
2 dígitos
2 dígitos
dígitos
2 dígitos
dígitos
V.
0 dígitos
e (<60Ω)
rã.
2 dígitos
2 dígitos
transistor, ut
ensão testad
Vcd = 3V
n nv
ilize
a
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